記憶體缺貨終點未浮現 最強3台廠
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本土法人14日發布2026年第4季記憶體產業展望報告指出，本輪記憶體景氣循環並非傳統消費電子的補庫存，而是由AI伺服器、推論運算、HBM與企業級固態硬碟全面引爆的需求結構轉型。疊加2023至2024年原廠大幅縮減投資與晶圓投片所造成的供給缺口至今尚未平復，預估第4季DRAM價格將季增約20%，NAND Flash價格更將大幅季增約30%，兩者供需充足率持續維持負值，價格談判權緊握於供應端。法人指出，NAND Flash為第4季價格彈性最大的記憶體產品，隨著大型語言模型推論需求激增，原廠主動將有限產能轉向高毛利的企業級與高容量固態硬碟，加上大型全新廠房多落在2028年以後，新增位元供給將迅速被市場吸收，NAND本輪缺貨的終點目前仍未浮現。
在DRAM板塊方面，第4季價格季增20%的主因在於HBM4、伺服器DDR5與高容量記憶體模組持續大量吸收先進DRAM晶圓產能。其中HBM與伺服器記憶體模組已佔據2026年DRAM位元需求的五成左右，由於HBM晶圓消耗量極高，即使原廠名目投片量未減，標準型DRAM供給仍遭受嚴重排擠。雖然三星平澤P4、SK海力士清州M15X與龍仁Y1、美光愛達荷ID1及南亞科（2408）Fab 5A等擴產計畫已陸續啟動，但經歷設備進場、生產週期與良率爬升，真正大量有效位元供給多需等到2027下半年至2028年後才能釋出，短期仍無法扭轉供不應求的賣方市場格局。
針對記憶體產業強勁的結構性上行循環，法人建議投資人聚焦於AI儲存轉型與成熟製程供給真空的兩大受益標的。首選群聯（8299），該公司已由傳統控制晶片模組商加速轉型為AI資料與儲存基礎設施供應商，受惠企業級固態硬碟與雲端客戶需求放量，相關控制晶片與產品線將隨AI資料中心擴建強勁成長，法人給予買進評等與目標價2900元。另一檔指標為華邦電（2344），隨著國際大廠將產能全面移轉至HBM與高層數伺服器記憶體，致使利基型DRAM及編碼型快閃記憶體等成熟製程供給出現大幅擠壓與真空，疊加車用與網通需求強勁，華邦電將同步享受價格上漲與產能轉移紅利，法人同樣給予買進評等，目標價上看230元。
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