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英特爾EMIB良率衝90%!矽電容獨家供應商股價 直接飆漲停

記者 李宜樺 台北報導
2026/08/06 05:04:00
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台股近期於4萬3~4萬4千點大關激烈震盪,外資空單與投信買盤形成強力拉鋸,單日震盪幅度甚至突破千點。市場聚焦美股資金動向,隨著AI族群獲利動能消化,資金正轉向低基期與高成長標的。此外,英特爾EMIB封裝技術崛起,聯發科與谷歌的合作動態更牽動先進封裝供應鏈版圖。面對高波動市場,專家建議投資人應

 

台股於4萬3千點關卡展開激烈震盪,外資9萬口空單與本土投信買盤對決,多空動能於高檔強烈交鋒。記憶體3大原廠產能遭提前預訂,HBM排擠效應帶動DRAM與Flash報價走揚,市場迎來超級漲價潮。美股與台股資金出現輪動跡象,高純度與低基期科技股接棒成為市場關注焦點。(圖/AI製圖)
台股於4萬3千點關卡展開激烈震盪,外資9萬口空單與本土投信買盤對決,多空動能於高檔強烈交鋒。記憶體3大原廠產能遭提前預訂,HBM排擠效應帶動DRAM與Flash報價走揚,市場迎來超級漲價潮。美股與台股資金出現輪動跡象,高純度與低基期科技股接棒成為市場關注焦點。(圖/AI製圖)

 

 

台股於43,000點大關展開激烈多空交鋒,5日才突破4萬4大關。外資空單水位居高不下在8、9萬口間,與本土投信單日大買逾200億元形成強烈對峙,現台股盤中震盪幅度有時超過1,000點,該怎麼安穩操作成新顯學

市場關注美股上半年由AI族群領漲後,資金是否將轉向低基期的大型科技股與記憶體族群。萬寶投顧總監蔡明彰分析,標普500企業第二季EPS成長率達45%,但動能高度集中於前十大AI龍頭。隨高定價預期消化,下半年資金開始尋找「AI純度高且基期較低」的標的。

萬寶周刊總編輯莊正賢與金融研訓院理事長林昌興指出,高頻寬記憶體(HBM)產能緊縮擠壓傳統DRAM與Flash產能,導致DDR4與NAND Flash合約價持續走揚。3大原廠2026至2027年產能幾乎被包光,大客戶紛紛簽訂長約或加價搶貨,市場掀起超級漲價潮,帶動相關製造與模組廠成為反彈先鋒。

科技公司總經理吳金榮表示,台積電CoWoS產能持續滿載,成本僅約其一半的英特爾EMIB(嵌入式多晶片互連橋接先進封裝)封裝技術正吸引相關供應鏈介入,例如聯發科預計在2028年採用EMIB封裝谷歌TPU晶片,帶動相關矽電容與封測供應鏈備受關注。

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